喜爱电子产品的人都知道，电子产品更新换代的速度是很快的！一小段时间就能更新新的技术！这样的快速规律也能运用在变频器的技术更新上！而变频器的更新则是模块的更新和比拼！爱德利变频器就以模块为核心剖析变频器的核心元器件！
我国变频调速技术发展与发达国家相比还不够成熟，中高端变频器市场目前被国外品牌所占据。而我国变频器发展未来争夺的主战场将落到中低压变频器领域。变频器行业的发展，也对变频器核心电子器件提出了的新的要求和挑战。从原来的SCR、BJT、SITH、MGT以及MCT等，变频器的核心电子器件逐渐发展为IGBT（绝缘栅双极型晶体管）、HVIGBT（耐高压绝缘栅双极型晶闸管）等。核心电子器件的发展，不仅为变频器带来了更广阔的应用领域，同时也使得如IGBT等核心电子器件市场迅速发展起来。
未来变频器企业想要在市场中占据领先地位，就必须具备IGBT等核心器件的研制能力才能够真正获得发展和竞争力。IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成，其中，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。 IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。小功率的IPM使用多层环氧绝缘系统，中大功率的IPM使用陶瓷绝缘。
变频器IGBT的驱动设计问题亦即MOSFET的驱动设计问题，设计时应注意以下几点:①IGBT栅极耐压一般在±20V左右，因此驱动电路输出端要给栅极加电压保护，通常的做法是在栅极并联稳压二极管或者电阻。前者的缺陷是将增加等效输入电容Cin，从而影响开关速度，后者的缺陷是将减小输入阻抗，增大驱动电流，使用时应根据需要取舍。②尽管IGBT所需驱动功率很小，但由于MOSFET存在输入电容Cin，开关过程中需要对电容充放电，因此驱动电路的输出电流应足够大，这一点设计者往往忽略。假定开通驱动时，在上升时间tr内线性地对MOSFET输入电容Cin充电，则驱动电流为Igt=CinUgs/tr，其中可取tr=2。2RCin，R为输入回路电阻。③为可靠关闭IGBT，防止擎住现象，要给栅极加一负偏压，因此最好采用双电源供电。
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