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变频器的发展史3

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        接上文
        1985年德国迪普布罗克首先提出了,基于六边形乃至圆形磁链轨迹的直接转矩控制理 论。这种直接转矩控制不是通过控制电流磁链等量间接控制转矩。而是把转矩直接作为控 制量来控制。实际上,就是用空间矢量的分析方法,以定子磁场定向方式,对定子磁链和 电磁转矩进行直接控制。
        1995年,ABB公司首先推出了直接转矩控制型通用变频器。目前已成为各系列通用变 频器的核心技术。其动态转矩响应已达到小于2mm,在带速度传感器时的静态速度精度达 ±0.01%.不带速度传感器也可以达到±0.1%的速度控制精度。其他一些公司,也在以直接转矩控制作为努力目标。
        电力电子器件的发展又是变频器技术发展的另一个基础。第一代以晶闸管(SCR)为代表的电力电子器件出现在20世纪50年代。它主要是电流控制型开关器件,以小电流控 制大电流的变换。但其开关频率低,且导通后不能自关断。20世纪60年代有了门极关断 晶闸管(CTO),双极型电力晶体管(CTR),是一种电流型自关断电力电于开关器件。20 世纪70年代开始应用金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、MOS控制晶体管 (MCT)、绝缘栅双极型晶体管(ICBT)。它们是一种电压型自关断电力电子器件,其开关频率高达劝20kHz,甚至20kHz以上。20世纪90年代末,智能模块问世且得到应用。它内 部含有ICBT芯片及外围的驱动电路和保护电路,甚至有霍尔传感器和光耦电路。
        最近,日立公司开发的通用变频器专用集成功率模块(ISPM),将整流电路、逆变电 路、逻辑控制、驱动和保护,电源电路全部集成在一块模块内。使通用变频器的体积大大 缩小,引线减少。电力电子器件的发展,使通用变频器的性能有了很大的提高。
        本文完!
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